オーディオアンプ設計の技術

ここは、オーディオ用に使用するアンプ設計に関する技術を解説するページです。 書く予定の内容を一覧にしていますが、中身があるのはまだ一部だけ。 不定期に更新して行くつもりですので、長い目で見てください。 １、アンプに必要な出力について（ハイパワーアンプは必要なのか） 　・再生音圧ピーク出力について 　・必要なアンプ出力 　・アンプに必要なゲイン 　・ＳＰＫの許容入力に注意 ２、アンプに必要な性能（歪み率、周波数特性、ダンピングファクタ等） 　・最低限度のレベル（必要条件のミニマム） 　・聴覚限度との対比（十分条件）と、現実的に許容できる範囲（必要条件） 　・システム総合でのノイズ特性の計算 　・その他の性能 ３、デジタルデータ有効ビット数について ４、半導体回路の基本設計に関する解説（性能とシンプルの両立） 　・基本回路素子の直線性　 　　　　§１、伝達特性（順方向gm）の直線性 　　　　§２、入力電流の直線性 　　　　§３、電圧振幅に対する直線性 　　　　§４、熱による歪の発生 　・回路のトポロジーとシンプル化の考察 　　　　出力段と初段回路のトポロジー 　　　　フォロワ型ＳＥＰＰ出力アンプの設計例 　　　　逆立ち出力のアンプの場合 　　　　Ｎ型ＣＳＰＰ方式のアンプの場合（予定） 　　　　トーテムポール型ＳＥＰＰ出力アンプの場合（予定） 　　　　コレクタ出力型ＳＥＰＰアンプの場合（予定） 　・ＮＦＢの安定性とＮＦＢ手法について 　・高域特性の限界 　・ＮＦＢ後の動作振幅と歪み率の予測 　・回路のノイズ特性基礎 　・ＧＮＤの配線方法とノイズ対策について 　・素子の温度特性と対応手法 　・最大スルーレートを考慮した設計法 　・出力クリップ時の応答性 　・保護回路の設計法 　・アンプの放熱設計について（予定） 　・技術の進歩と素子特性の向上、オーディオ用素子の消滅 ５、具体的な設計例の解説 （まだまだ初歩的な実験結果にすぎません。音質的な検討は全くなし。） 　・超シンプル（４+1石）４Ω５０Ｗアンプ 　・出力にサンケンの複合ダーリントン（ＳＡＰ）を使用したシンプルアンプ 　・MOS-FETパラレル出力４Ω200Ｗ、１MHzフルスイング可能な広帯域アンプ 　・帯域１０MHzを目指した４Ω200Ｗ低歪み広帯域アンプの構想 ６、LTspiceを使った回路設計手法 　・LTspiceの導入から使い方 　・歪み率の評価方法 　・ライブラリの構造と変更法（回路ブロックを部品として登録する） 　・バイポーラトランジスタの定数設定詳細 　・ＭＯＳーＦＥＴの定数設定詳細 　・Ｊ－ＦＥＴ、ダイオードの定数設定詳細 　・ＮＦＢのループゲインと安定性の評価 　・外乱によるNFB安定性の評価 　・LTspiceではシミュレーションできない特性とその対策 　　　　HOMEに戻る