高域特性の限界

NFBの安定性の所で論じたように、NFBアンプを正しく動作させるには高域限界周波数での位相特性が決定的な意味を持ちます。「高域特性が優れている」と言うのは、単に限界周波数が高いだけでは駄目で、位相回転が少ないことも要求されます。 それらも含めて素子や回路について高域特性の限界を考えます。 １、増幅素子単体のゲインと位相特性（主要な素子の特性一覧） 　・バイポーラトランジスタ (BJT) 　・接合型ＦＥＴ (J-FET) 　・ＭＯＳ－ＦＥＴ ２、良く使われる回路での高域特性限界 　・初段、段間の差動回路 　・電圧増幅段（エミッタ接地回路） 　・カスコード回路 　・フォロワ型アンプ出力段 （ﾀﾞｰﾘﾝﾄﾝの有無） 　・コレクタ出力型 （ｲﾝﾊﾞｰﾃｯﾄﾞ・ﾀﾞｰﾘﾝﾄﾝ含む） ３、ＮＦＢ安定度による限界 　・TOTALで許される位相回転量 　・増幅段数を増やした場合の弊害 　・多段増幅器で安定化するための位相補正 　・位相補正の限界 　・負荷変動によるＮＦＢの破綻とその対策（安定化Ｌ、ZOBEL負荷挿入） 　・ネックになる出力段をＮＦＢから外す ４、失敗しないための設計法（予定） 　・一般的な素子での各ケースでの無難な値 　・改善のキーポイント、どこまで可能か？ 　・高周波用Ｔｒはじゃじゃ馬 ５、試作での実験結果（予定） 　・RL=４Ω、５０Ｗ出力のパワーアンプ（パワーバンド幅10MHzを目指す） 　・RL=100Ω、10Vrms出力の０dBバッファ（通常タイプ、極超低歪タイプ） 　　　　アンプ設計のTOPに戻る