さらにトランジスタの数を減らして、２石（ゲートバイアス調整にもう１石）とした場合の特性を見てみます。・出力段の電源は4Ω50W用を流用（常時1Aで±20V）
・出力石はPd=150WのMLE20/MJD20で、損失に余裕があるのでソース抵抗を削除
・GMを大きくするためにアイドリングは1Aに設定
・ゲートバイアス用の電源は別から供給
・アイドリングの温度補償はMLE20/MJD20の8Ω100Wとほぼ同じ
・入力抵抗10kΩ、NFB抵抗100kΩで反転型の20dBゲイン（逆立ち型アンプ）
・10kΩＢの半固定でオフセットを調整
1A流した時の出力MOSのGMが１個で3Sと仮定すると２個で6S、8Ω負荷で裸ゲインが33dB取れる計算なので、仕上りゲインが20dBならNFB量は13dBとなる予定。
実際に作ってみると、ゲートバイアスのロスも多少ありますが、MOSのGMが意外と小さく、出力抵抗は3.8Ω（DF=2.1）でゲインも無負荷時に対し-3.3dB低下します。
それより問題なのは、周波数特性が伸びません。実測の-3dBカットオフはわずか6.5kHzで入力抵抗の10kΩから換算すると、ミラー容量を含むMOS出力段の入力容量は2,500pF。
ドライブ回路を付加しないと、実用にはならないようです。
出力MOSに、もっとGMの大きい60V耐圧の30Aクラスを持ってくればゲインが上がってNFBが効き、
歪みはもっと小さく出来ますが、低インピーダンスでゲートを駆動しないと周波数特性は悲惨なことになります。
１ｋＨｚの歪み率特性を同じ出力石を使った例と比較すると、グラフの青の線が２石のNFBアンプです。出力10Wで１％歪みですので、小出力の簡易アンプとしては使えそうな値ではあります。
NFBの量がほとんどないので、MOSの上下のGMの差がもろに２次歪みとして出ていますが、N-ch/P-chのGMのコンプリ対称性が揃っていれば、もう10dBは下がるはず。
赤い線が基本４石のPFBを併用したアンプ、細い黒線は今回の２石の回路をNFBを取り外して電源のGNDを普通に信号GNDに落とし、単なるソースフォロワ（ゲイン0dB）とした時のデータです。（入力インピーダンスが上がるので、直列抵抗は1kΩに変更）
ソースフォロワでは、入力容量はCrssがほとんどになりますのでRG=1kΩで-3dBカットオフは実測で420kHz（入力容量換算380pF）と十分高く、歪みも小さいので特性は良好です。（但しゲインはゼロ）
アイドリングを１Ａも流しているので、これは当然の結果と言えます。
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