AF, Drive, Power用Mos-FET実測データ

 gm, VAはVds=10VでIdを2段階での実測値をそれぞれ記入しています。
(Parts Nameをクリックすると、実測データのグラフを表示できます)

●AF用 Mos-FET

TK2Q60Dは高圧SW用ですが、Vds>10V時のCrsの小ささを活かして電圧増幅段に使えるかを見ました。
SJ-Mos構造なので10Vを超えるとVAが1段階上昇しています。
60V耐圧の2N7000は耐圧に余裕がある所でもVdsが上がると逆にVAが低下する現象が見られます。
低耐圧のMosはNchでその傾向が顕著です。100V耐圧のK1589は高耐圧MosのVAの高さを保っている。

J346/K1829やSSM6L35は、換算ftは非常に高いが内蔵ゲート抵抗でgmのカットオフは数MHz以下であり、
高周波には使えない。信号用の小型Mosは発振対策でゲート抵抗が入っているのがほとんどで、高速SW
出来るのは2N7000やMMBF2201など。(tf=10nsでgmのカットオフfc=20MHz程度になる。)
Farchildの複合素子FDC6320C, NDC7001Cは内部Rgがなく、非常にスイッチングスピードが速い。

AF定格gmCisftVgs実測gm実測(mS)VA(Vds=10V)
Parts NameメーカーVdsPdパッケージ@10m@10V@10m@10m@1m@10m@1m@10m
TK2Q60D東芝60060WTo-2510.045280263.556.545 600600
2SK4150日立250700mTo-920.13802581.1520135 300200
2SK1697日立601WminiPower0.055332651.71255110110
2N7000Farchild60400mTo-920.064254072.551064 4060
BS170Motorola60350mTo-920.045352042.451045800700
BSS84Panjit-50200mSC590.05232258-2.258.552 70110
BSS138Panjit50350mSC590.087304611.451287 200100
2SJ211NEC-100200mSC590.0527294-2.71050 400300
2SK1589NEC100200mSC590.042164172.3942 2500700
2SJ165NEC-50250mSST0.03817355-2.89.538 160170
2SK1132NEC50250mSST0.03477722.6834 1200600
2SK1848三洋60250mSC590.076482622.111761200280
MMBF
2201N
ON-
semi
20150mSC700.06402391.910602035
2SJ648NEC-20200mSC700.129548-1.416103 14
2SJ243NEC-30100mSC700.03315350-2.7933 5590
2SK3541Rohm30150mChip極小0.05107951.81050 2050
2SJ346東芝-20100mSC700.0319548-1.9631 60130
2SK1829東芝20100mSC700.04251,3361.3842 1038
SSM3K7002東芝60150mSC700.045183983.4545 20090
SSM6L35FE東芝-20150mChip複合0.05812769-1.11158 4070
SSM6L35FE東芝20150mChip複合0.08281,6300.91582 416
FDC6320CFarchild-25700mChip複合0.04111593-1.31041330220
FDC6320CFarchild25700mChip複合0.0659.51,0881.21465600200
NDC7001CFarchild-60900mChip複合0.08668201-1.91286160140
NDC7001CFarchild60900mChip複合0.055243642.510553060


●Drive, Power用 Mos-FET

J77/K213は横型Mosで、Pch側のVAがとても小さく大振幅でVdsを振るとゲート駆動電圧変動が大きい。
J313/K2013は高耐圧のVD-Mosで、小電流では極めて大きなVAを持ちます。(測定不能領域)
J680, TK4Q60はドライブ用ではなくて高耐圧中電流の品種ですが、非常に安価に入手できたのでデータを取りました。TK4Q60はSJ構造でVds>12VでVAが非常に大きくなる

Drive定格gmCisftVgs実測gm実測(mS)VA(Vds=10V)
Parts NameメーカーVdsPdパッケージ@0.1A@10V@0.1A@10m@10m@0.1A@5m@50m
J77日立-16030WTo-2200.1120133-0.838100424
K213日立14030WTo-2200.13902300.74013080100
J313東芝-18025WTo-220P0.37210280-2.1703703000750
K2013東芝18025WTo-220P0.391703652.160390>30001300
J680東芝-20025WTo-2510.3410116-3.18030015001000
TK4Q60D東芝60080WTo-2510.3550953.770300500400


Cisの小さな中電力のJ527/K2796はドレイン出力特性は良くなく、ftの小さなJ377/K2231の方が
出力振幅を大きく取る場合は適している。
高耐圧の出力段用品種はP-chでもVAが高いが、60V耐圧ではPchでVAの非常に小さいのもある。

Power定格gm(S)CisftVgs実測gm実測(S)VA(Vds=10V)
Parts NameメーカーVdsPdパッケージ@1A@10V@1A@0.1A@0.1A@1A@50m@0.5A
J527日立-6020WTo-2511.72201,229-1.980.651.73040
K2796日立6020WTo-25131802,6502.150.8 3.0 1025
J172日立-6040WTo-2203.2900565-1.90.9 3.2 5580
K971日立6040WTo-2204.58608321.61.0 4.5 250200
J554日立-60100WTo-3P52500318-1.91.1 5.0 1435
K2233東芝60100WTo-3P5.118004511.761.0 5.1 600300
J377東芝-6020WTo-2512.3630580-1.90.7 2.3 150160
K2231東芝6020WTo-2513.23701,3751.90.8 3.2 250120
J681東芝-6020WTo-2513.2700727-2.10.8 3.23045
K4017東芝6020WTo-2512.77305882.30.8 2.720050
MTB060PSystech-6036WTo-2514.71500498-1.931.04.71010
MTB30NSystech6036WTo-251410006362.251.04.02020
J407東芝-20030WTo-220P2.3800457-3.10.5 2.3 660300
K2381東芝20025WTo-220P2.64409403.10.5 2.6 700140
J618東芝-180130WTo-3P4.12300283-2.00.9 4.1 1200650
K3497東芝180130WTo-3P524003311.91.0 5.0 1300800
MJD20サンケン-150150WTo-3P3.22700188-4.230.7 3.2 640400
MLE20サンケン150150WTo-3P2.718002384.40.5 2.7 1200500


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