FET実測データ（RF）

　RF（高周波）用FET実測データ

　VAはVds=10VでId=1mA/5mA時の値をそれぞれ記入しています。
（Parts Nameをクリックすると、実測データのグラフを表示できます）

●RF用 J-FET

高周波用の品種はVdsによるVp変調が大きくてＶＡが小さい物が多いですが、
中にはBF256やK192Aのように出力抵抗の高い品種もあります。
2SK606は内部ｶｽｺｰﾄﾞ接続なのでVds>3VでＶＡが大きくなる。

RF		定格			gm	Cis	ft	実測値			gm実測		VA(Vds=10V)
Parts Name	ﾒｰｶｰ	Vds	Pd	ﾊﾟｯｹｰｼﾞ	@2mA	@10V	@2mA	Idss	-Vp	Ron	@1m	@5m	@1m	@5m

K33	三菱	20	150	To-92	3	4.3	111	11.3	3	102	2.2	4.8	55	120
K125-4	SONY	35	300	To-92	7	5.2	214	57	3.7	34	5.5	11.5	6	40
K19 GR	東芝	18	200	To-92	4	3.5	182	7	1.9	120	2.8	6.2	100	150
K192A GR	東芝	18	200	SST	4	3.5	182	7	2	113	2.7	6.1	175	300
K301 Q	松下	55	250	To-92	5.5	6.5	135	5.2	1.2	181	4.1	7.7	30	70
K606 Q	松下	30	400	To-92	9	5	286	4.8	0.7	106	6.3	15	350	500
K427	三洋	15	200	SST	12	7	273	7.5	0.7	80	8.7	18	25	70
K715	三洋	15	300	SST	18	10	286	13.3	0.6	41	13	30	18	70
K1000	NEC	22	250	SST	12	8.3	280	29	1.2	27	8.5	22	14	50
K508	NEC	15	200	SC59	10	4.5	353	18	1.3	50	7.5	15	14	45
MMBFJ310	Farchild	25	350	SC59	6	6.1	156	46	3.8	37	4.5	9	30	90
MMBF4393	Farchild	30	350	SC59	8	7	182	12	1.26	78	6	12	80	200
J211	Farchild	25	350	To-92	4	4.5	141	14.3	3	114	2.8	5.2	55	150
BF256B	Farchild	30	350	To-92	2.8	3.8	117	10.5	3.3	163	2.1	3.9	100	200

●RF用 Mos-FET

ﾃﾞｭｱﾙｹﾞｰﾄの3SKはゲート２を3VにバイアスしてG1入力特性を測定。
（その為にＩｄが飽和するのに約３Ｖ必要）
耐圧が低いのでVds=15VでVAが低下するのが多いが、3SK85は20Vでも耐圧に余裕がある。
3SK241はGaAsの2GHz帯用でVg2s=0Vで測定、耐圧13Vだが20V掛けても余裕。

RF		定格			gm	Cis	ft	実測値			gm実測		VA(Vds=10V)
Parts Name	ﾒｰｶｰ	Vds	Pd	ﾊﾟｯｹｰｼﾞ	@2mA	@10V	@2mA	Idss	Vp	Ron	@1m	@5m	@1m	@5m

2SK882	東芝	20	100	SC70	6.7	3	355	4.8	-1.0	162	5	9	320	400
3SK81	日立	20	200	十字型	12	5	382	10.5	-0.9	88	8	16.5	1800	700
3SK85	日立	22	200	十字型	10	2.5	636	12.5	-1.25	100	7	13.5	250	350
3SK122	NEC	20	200	十字型	16	5	509	10	-0.6	83	11	25	130	280
3SK291	東芝	12.5	150	SOT-23	13	2	1033	-	+0.6	50	10	20	25	30
3SK241	松下	13	200	SOT-23	11	0.5	3498	-	-1.7		8	17	10	40

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