各種Ｄｉ実測データ

0.1mA/1mA/10mAの３ポイントで印加電圧特性と、動作抵抗を評価しています。（グラフは省略）
「指数」は電流変化に対する電圧安定度を単純抵抗と比較した値で、
例えば5V, 1mAで動作抵抗が100Ωなら、電圧安定化指数＝5k/100＝50となります。

●信号用、整流用Ｄｉ

信号用高速SWダイオードは、バイポーラＴｒのVbe特性と較べて1mAでの動作抵抗は約２倍あります。
それ以外の品種では1mAでの動作抵抗は30Ω程度で大体同じです。

汎用Di			定格	Vf 実測			動作抵抗 (Ω)			指数
分類	Parts Name	ﾒｰｶｰ	（種類）	@0.1m	@1mA	@10m	@0.1m	@1mA	@10m	@1mA
ｼﾘｺﾝDi	小型アキシャル	?	RF用小型Di	0.63	0.74	0.83	700	40	5	19
	A1015_Vbe	東芝	Bipola-Tr	0.6	0.67	0.74	400	30	4.4	22
	1SS133（黄）	Rohm	90V130mA信号用	0.5	0.61	0.755	520	59	7.3	10
	BAV21	Panjit	200V200mA信号用	0.5	0.6	0.75	500	56	6.9	11
	ERA32-02	Panjit	200V 1A整流用	0.37	0.465	0.57	450	40	5.1	12
	31DF2	日本ｲﾝﾀｰ	200V 3A整流用	0.41	0.47	0.55	320	31	3.5	15
SBD	1GWJ42	東芝	40V 1A整流用	0.17	0.225	0.31	260	30	5.9	8
	小型アキシャル	?	60V 中電流	0.175	0.23	0.35	230	30	5.2	8
	小型アキシャル	?	80V 信号用	0.26	0.32	0.47	300	40	12	8

●LED（発光Ｄｉ）、低圧ツェナーＤｉ

LEDは発光波長で材質が異なり、赤外(GaAs)、赤～緑(GaAsP, AlGaInP, GaP)、緑～紫外/白(InGaN)で
InGaNはバンドギャップが大きくVfも他の材質が1.7～1.9Vに対して2.6～3V程度に大きくなります。
1mAでの動作抵抗は20mA定格の小電流用では60Ω（InGaNは140Ω）程度が多いですが、パワー用
で大電流に対応した品種ではもっと小さくなります。（日亜のchip白は80mA定格）

5V以下の低電圧ツェナーＤｉは、日立のHZ-LLｼﾘｰｽﾞが代表的で0.5mAでも安定した特性を示しますが
動作抵抗は単にLEDを直列にしたのと同じで、電圧安定化指数は内部抵抗の低いLEDに負けている。
RohmのMTZJシリーズは低電圧ではさらに切れが悪く、電流を沢山流さないと動作抵抗が大きい。
ChipのUDZV5.1や手持ちの5.4Vは小電流でも低抵抗領域に素早く移行しており、切れが良い。

LED, 低圧ZD			定格	Vf (Vz) 実測			動作抵抗 (Ω)			指数
分類	Parts Name	ﾒｰｶｰ	Vz	@0.1m	@1mA	@10m	@0.1m	@1mA	@10m	@1mA
LED 従来型	赤外LED			0.97	1.06	1.16	450	40	5	27
	赤1			1.56	1.66	1.83	450	40	13	42
	赤2			1.56	1.67	1.92	650	54	22	31
	赤3			1.69	1.81	2.02	600	60	18	30
	橙1			1.61	1.75	2.01	900	60	20	29
	橙2			1.76	1.88	2.18	400	50	30	38
	橙3			1.73	1.83	2.01	550	60	13	31
	黄1			1.74	1.84	2.08	460	60	21	31
	黄2			1.79	1.9	2.24	500	80	31	24
	黄緑			1.78	1.87	2.08	500	60	20	31
	緑1			1.78	1.87	2.02	400	45	15	42
	緑2			1.7	1.81	2.01	600	60	16	30
LED 高輝度型	青1			2.4	2.63	3.1	1000	140	31	19
	青2			2.55	2.8	3.3	1100	140	40	20
	白chip	日亜		2.53	2.62	2.8	427	49	11	53
	白(内部３パラ)	OptoSupply		2.46	2.53	2.65	320	36	8	70
	白2			2.6	2.85	3.3	900	140	31	20
	白3			2.6	2.8	3.12	800	100	20	28
	紫外LED405n			2.91	3.02	3.26	600	60	18	50
HZ-LL	HZ-2BLL	日立	2.2	2.1	2.3	2.75	700	120	32	19
	HZ-3BLL	日立	3.0	2.7	2.92	3.34	800	120	30	24
	HZ-4BLL	日立	4.0	3.8	4.03	4.46	1000	135	28	30
	HZ-5BLL	日立	5.0	4.58	4.82	5.3	800	140	32	34
Rohm	MTZJ3.0B	Rohm	3.1	1.9	2.6	3.51	2600	310	45	8
	MTZJ4.3B	Rohm	4.3	2.8	3.7	4.5	4000	360	28	10
	MTZJ5.1B	Rohm	5.2	3.96	4.74	5.16	3600	280	10	17
	MTZJ5.6B	Rohm	5.6	5.13	5.54	5.65	3000	100	2.8	55
	UDZV5.1	Rohm	5.1	4.85	5.04	5.11	1800	38	4.2	133
他	小型アキシャル	?	5.4	5.22	5.37	5.41	1500	23	2.8	233

●中電圧ツェナーＤｉ

6V程度のツェナーは小電流ではLEDと同様な指数関数の特性を残すが、1mA以上流すと本来の
低抵抗領域に達して安定する。10mA流した時の抵抗値はVz=6～9Vで最も小さくなり、10Vを
超えるとボトムの抵抗値が上がり、1mAから下がらなくなる。

HZ-Lシリーズは低抵抗領域への移行が早いが、ボトムの値も高く小型チップと思われる。
RDシリーズなど古いタイプは低抵抗領域への移行は遅いが、10mA流した時の抵抗値は非常に
小さい。このようなタイプは数mAではノイズが大きく、10mA流すのが前提。

1S2192は6.4VのZDにｼﾘｺﾝDiを２個直列にして10mAで温度係数がちょうどゼロになるように
した温度補償型の基準電圧Ｄｉで、ｼﾘｺﾝDi２個分の動作抵抗が加算されている。

中圧ZD			定格	Vz 実測			動作抵抗 (Ω)			指数
分類	Parts Name	ﾒｰｶｰ	Vz	@0.1m	@1mA	@10m	@0.1m	@1mA	@10m	@1mA
HZ-L	HZ-6B3L	日立	5.9	5.84	5.86	5.9	250	7	4	837
	HZ-7B2L	日立	7.1	6.93	6.93	7.0	100	8	6.5	866
	HZ-9B2L	日立	8.7	8.6	8.62	8.8	100	11	10	784
	HZ-11B2L	日立	10.6	10.6	10.6	10.8	200	18	15	589
	HZ16-1L	日立	15.7	16.77	16.8	17.1	150	31	38	542
	HZ22-2L	日立	22.2	22.1	22.1	22.9	300	80	80	276
Rohm	MTZJ6.2B	Rohm	6.15	5.95	6.06	6.11	1000	15	2.7	404
	MTZJ7.5C	Rohm	7.3	7.29	7.3	7.35	100	5	2.9	1460
	MTZJ9.1C	Rohm	9.1	8.86	8.86	8.93	60	6	1.9	1477
	MTZJ12B	Rohm	12	11.63	11.64	11.7	120	7	6.5	1663
NEC	RD-7A	NEC	7	6.83	6.86	6.88	450	6	1.2	1143
NEC	1S2192	NEC	8	7.69	7.91	8.06	1400	75	7.5	105

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