計測器と部品の実測データ

使用している計測器に関する内容と、それらを使った実測データをまとめます。 　１、超高性能歪率計の設計検討と試作零/初号機（1kHz spot型） 　　　・歪率計の理論限界と1kHz spot型歪率計 　　　・24bit分解能を得るための低ノイズツインＴフィルタの検討 　　　・24bit分解能を得るための低歪みＯＳＣの検討 　（参考資料） 　　　・ＣＲ発振器の方式別ノイズ検討 　　　・ウイーンブリッジ等、他形式のノッチフィルタ 　　　・歪だけ101倍する測定法の注意点 　２、歪率計 ２号機（究極性能、100/1k/10kHzの３周波数切替）：製作中 　　　・超低歪計測システムの全体設計 　　　・詳細設計と製作 　　　・製作後の評価結果 　３、歪率計 ３号機（周波数ﾀﾞｲﾔﾙ可変型）：構想段階 　４、ＰＣのサウンド機能活用（WaveSpectraとWaveGene） 　５、Analog discoveryの活用 　　　・カーブトレーサ（半導体の入出力静特性の測定） 　　　・ネットワークアナライザ機能 　　　・スペクトルアナライザ機能 　６、LMV-186A ミリボルトメーターとその性能改善 　７、ファンクションジェネレータ～40MHz：自作（MAX038使用） 　８、実験用超低ノイズ安定化電源：自作 　９、オシロ：VP-5280A(10MHz), テクトロ2465B(400MHz) 　　　ＤＳＯ：SDS1104(100MHz)、LeCroy LT584L(1GHz) １０、カウンタ：Advantest TR5822 １１、ＤＭＭ：Agilent 34401A, Advantest R6452 １２、スペアナ：Advantest R3131A １３、ＶＮＡ：NANO VNA、HP 87510A 、Advantest R3754A その他　LCRメータ：DE-5000、600ΩATT：菊水484A、 　標準Mic：B&K 4145(1"), 4135(1/4")、騒音計：横河T5635、Technics SH-8000 （部品実測データ） 　１、抵抗の発生する歪 　２、キャパシタの発生する歪 　３、リレー、ＳＷ接点、Ｌ(導体)の歪 　４、トランジスタ、Ｄｉの静特性（gm, hFE, VA等） 　５、トランジスタの高周波特性（ｆｔ、Cre, Rbb'） 　６、トランジスタ、Ｄｉの雑音特性 　７、可変抵抗素子（J-FET, CDS, ｻｰﾐｽﾀ, 電球）の歪 　　　　HOMEに戻る